Разработчики электронных компонентов всё чаще напоминают миру о том, что приближается критически непреодолимый барьер миниатюризации. Однако попытки создания микросхем с компонентами высокой плотности не прекращаются. Теперь электронщики Гонконга объявили очередной прорыв в деле уплотнения компонентов кристаллов. Этот прорыв — антиамбиполярные транзисторы.
Антиамбиполярные транзисторы продолжение миниатюризации
Разработанные электронные компоненты – антиамбиполярные транзисторы, согласно характеристике, представляют класс транзисторных приборов. Отличительной чертой этих приборов является фактор одновременного транспорта «дырок» и «электронов» внутри полупроводникового канала.
Аналогичные существующие приборы, как правило, создают на основе двумерных (органических) материалов. Но для таких материалов характерной видится нестабильность в случае крупномасштабной интеграции. Кроме того, частотные характеристики и энергетическая эффективность тут практически не исследованы.
И вот, судя по сообщениям из Гонконга, появились новые антиамбиполярные транзисторы, обладающие исключительно высокими характеристиками. Разработчики отмечают: новинка отличается усиленными межфазными контактами и необычными свойствами структурного перехода спайки GaAsSb/MoS2. Здесь налицо выраженные характеристики перехода с высокой крутизной.
Фактор изменения крутизны, по словам разработчиков, приводит к удвоению частоты в случаях реакции на аналоговый сигнал входа. То есть открывается возможность сократить в значительной степени число необходимых устройств. Если сравнивать такое свойство с умножителем частоты по технологии КМОП, разница очевидна.
Как строить многозначные логические схемы?
Инновационные смешанные антиамбиполярные транзисторы, как утверждается командой разработчиков, способствуют формированию логических схем нескольких уровней. Это оптимальное решение под создание умножителей частоты. То есть имеют место устройства — уникальные для области применения транзисторных сборок.
Полученные характеристики многозначной логики, как показали испытания, способствуют упрощению сложных проводных сетей. Миниатюризация устройства вместе с малой областью перехода дают необычайно высокое быстродействие. Здесь ярко выражена энергетическая эффективность в целом — важный фактор высокопроизводительных цифровых и аналоговых приборов.
Исследования также показывают: новые антиамбиполярные транзисторы обещают совершенно иные подходы в деле проектирования микросхем. Высокая плотность хранения и способности обработки впечатляют – утверждают специалисты. До появления новинки миниатюризацию устройств напрямую связывали с законом Мура. Появление нового антиамбиполярного транзистора грозит «отодвинуть» этот закон. Что это — телекоммуникационные технологии следующего поколения?
При помощи информации: Cityu