Транзистор NC-FET как новая концепция электронных устройств

Транзистор NC-FET как новая концепция электронных устройств

Смартфоны и прочая электроника содержат миллиарды электронных элементов – транзисторов. Благодаря этим элементам, выполняются масса функциональных задач, включая основную функцию звонков. Транзисторные переключатели организуют электропроводящий канал, проводимость которого регулируется при помощи транзисторного затвора. Эта деталь отделяется от канала диэлектрической плёнкой, толщина которой не превышает 5-6 атомов.

Точка «останова» для транзисторной логики

На протяжении 50 лет электронные элементы минимизировались, следуя закону Мура. Этот закон, в частности, определяет интересную теорию — число транзисторов в конструкции микросхемы допускает удвоение примерно каждые следующие 18 месяцев процесса разработки. При этом стоимость производства микросхем также уменьшается вдвое. Однако на текущем этапе достигнута точка «останова», когда дальнейший процесс миниатюризации попросту невозможен.

На этом фоне журнал «Applied Physics Letters» рассматривает в рамках исследовательской публикации полевые транзисторы NC-FET (Negative Capacitance Field-Effect Transistor), обладающие отрицательной ёмкостью. Эта новая концепция устройства, предполагающая совершенство традиционных транзисторов, позволяет достичь большей эффективности простым добавлением тонкого слоя сегнетоэлектрического материала. Модернизация таким способом увеличивает способность вычисления чипа и приводит к уменьшению потребляемой энергии.

Технология по достоинству оценивается специалистами всего мира. Опубликованной статьёй исследователи подводят итоги работы с полевыми транзисторами на современном техническом уровне и оценивают необходимость последовательной и непротиворечивой интерпретации различных экспериментов.

Полевые транзисторы NC-FET первоначально были предложены инженерами Калифорнийского университета Беркли. Изначально была выдвинута интригующая концепция NC-FET транзисторов, которая заключалась не только в решении насущной проблемы поиска нового электронного переключателя. Для промышленной сферы полупроводниковых компонентов важна также концептуальная основа широкого класса фазовых переходных устройств, объединяемых общим названием «коммутаторы Ландау».

Учёные экспериментально продемонстрировали работу новых транзисторов NC-FET, указав на возможность работы с электроникой с целью глубокого изучения интригующих особенностей устройств подобного рода. Опубликованный материал на страницах «Applied Physics Letters» всего лишь обобщает точку зрения. Более конкретные результаты позволят получить эксперименты.

Систематический анализ концепции устройства


Ранее по теме были опубликованы сотни статей, посвящённые обоснованию применения квазистатической отрицательной ёмкости, рассматривающие пределы надёжности по частоте для транзисторов NC-FET. По мнению же разработчиков, если элементы интегрировать в современные интегральные схемы, влияние транзисторов NC-FET в большей степени преобразующее.

Учитывая потенциал, необходимо систематически анализировать концепцию устройства. Эксперименты показали широкий разброс для разных групп. К тому же исследовательские группы используют разные методы для характеристики собственных устройств. Всё это требует комплексного и всестороннего анализа существующего набора данных.


При помощи информации: AIP


Добавить комментарий

Внимание: Спам не пройдёт. Работает фильтрация комментариев. *